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2012年版 SiC・GaN単結晶市場の現状と将来展望

ポストSiのパワー半導体としてSiCとGaNのワイドギャップ半導体はインバータ、コンバータなどの電力損失を大幅低減できる次世代のパワー半導体として注目されている。その基板材料としてSiCとGaN単結晶も日米欧の先行メーカーだけでなく中国などアジアメーカーもこれをキャッチアップしようとしている。これらによりウエハー高品質化や大口径化など、ワイドギャップ半導体デバイスの市場拡大に向けた取り組みが進められている。 このSiCとGaNの単結晶の現状、および今後の市場性に関し、単結晶メーカーだけでなく同じ領域で戦う技術であるGaN on Siなどへのヒアリングも加えることで、ワイドギャップ半導体デバイスの市場浸透時期と規模をベースとした単結晶市場の今後の動向を捉えるレポートとして発刊致しました。

発刊日 2012年02月22日 体裁 102頁
資料コード C54102000 PDFサイズ 3.1MB
カテゴリ 環境・エネルギー、自動車、機械、エレクトロニクス
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2012/05/22～ 770円

目次

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●次代のエネルギーインフラに向けた新・環境デバイス材料
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●SiCは眼前の6インチでの戦いが雌雄を決す
3
●GaNはLEDスペシャル照明への参入で逆転シナリオの推敲へ
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【図】ワイドバンドギャップ半導体材料としての理想事業化進展イメージ
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【表】各種半導体材料の物性値比較
【表】SiC単結晶の物性特徴と適応応用製品、SiC採用メリット
●マイクロパイプ欠陥はほぼ解決も、量産レベルでの対応が求められる
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●その他転位欠陥改善は検査装置の進化も後押しに
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●マイクロパイプ欠陥のない製法でも品質改善は進む
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●ウエハー高品質化だけでなく活性層形成へもつながるMSE法ベースのバッファ膜形成
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【表】SiC単結晶ウエハー、エピタキシャルウエハーの品質動向
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●合言葉の「1インチ１万円」は目標ではなく通過点
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●当面はトップ品質品で4インチ8万円が目標か、量産実績の有無もポイントに
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【表】SiC単結晶ウエハー価格動向
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【表】SiC単結晶ウエハーの面積単価動向
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●6インチの複数社による量産体制確立は～2014年、ニューカマー含め多くのメーカーがそこに集う
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【表】SiC単結晶主要メーカーのウエハー口径動向(ロードマップ含む)
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23
【図】SiC単結晶ウエハー市場進展イメージ（現在～2015年を中心に、デバイス含む）
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【表】SiC単結晶市場規模推移と予測（金額、数量、2009年～2015年予測）
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【図】SiC単結晶市場規模推移と予測（金額、数量、2009年～2015年予測）
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【図】SiC単結晶用途分野別市場規模推移と予測（金額ベース、2009年～2015年予測）
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【表】SiC単結晶ポリタイプ×用途分野大別市場規模推移と予測（金額ベース、2009年～2015年予測）
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【表】SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野口径別市場規模推移と予測（枚数、面積、2009年～2015年予測）
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【表】SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野口径別面積シェア推移と予測（2009年～2015年予測）
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【図・表】SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野口径別枚数シェア推移と予測（2009年～2015年予測）
31
【図】SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野枚数および面積市場規模の推移・予測成長率比較（2010年～2015年予測）
32
【図】SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野面積市場規模推移と予測（2010年～2015年予測）
32
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【図】SiC単結晶市場メーカーシェア（金額ベース、2009年、2011年）
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【表】ブルーレイディスクレコーダーとプレーヤーの国内出荷台数推移（2009年～2011年）
35
【図】プレイステーション3全世界売上台数推移（2007年～2011年）
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●今後の市場参入者は青紫色レーザー以外の用途を狙う　LEDスペシャル照明がその入り口に
36
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【図】パワーデバイス材料の性能比較
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【表】GaN単結晶ウエハー市場参入メーカーの主な動向（または概要）
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●4インチでLEDスペシャル照明へ、価格は早期に1インチ=1万円に向かう
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【図】GaN単結晶市場規模推移と予測（金額、数量、2006年～2015年予測）
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【表】ウエハー口径別GaN単結晶市場規模推移と予測(金額、数量、2006年～2015年予測)
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【表】口径別GaN単結晶市場予測（枚数、面積、2014年～2015年予測）
45
【図】口径別GaN単結晶市場規模推移と予測（面積ベース、2010年～2015年予測）
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◇6Hでは高シェアを獲得中、これを生かす形で4Hの量産対応へ向かう
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◇6インチ品は市場環境を見極め2012年リリース予定も、顧客リクエストは既に多数
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◇LED事業でのSiCウエハー使用は高いアドバンテージ、これによる技術蓄積は他社追従ができない領域に
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◇3Cの特長を生かす形で横型MOSFETも有望選択肢
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◇先々のテイクオフを見据え、既に広範囲な用途でのウエハー販売実績が増加中
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◇エピ欠陥数の低減を図りながら安定供給体制の確立を目指す
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◇SiCだけでなくGaNも守備範囲としワイドギャップ半導体事業は万全の体制に
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◇6インチウエハーでマーケットリーダーを狙う
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◇伯東では広範囲の想定顧客に対しGaN基板の将来ユーザーを開拓
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◇自社製超高純度粉体原料とハイレベルな品質管理ベースのトータルプロセス
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